EMD22T2R
|
TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6 |
Версия для печати
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | EMT6 |
| Корпус | EMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
