IRF8915TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF8915TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	31	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики IRF8915TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	540pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF8915TRPBF datasheet