FQD19N10LTM

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQD19N10LTM (FAIRCHILD.)	1 467	3-4 недели Цена по запросу
FQD19N10LTM (ONS)	200	78.05

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики FQD19N10LTM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Dimension Change 23/Jan/2007
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	870pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD19N10LTM datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJITSU
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI ELECTRIC	26	219.24
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)		3	272.16
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJI
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	FUJ
2SK3264	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)	ГЕРМАНИЯ
OZ9938GN		O2MICRO	104	34.85
OZ9938GN			1	113.40
OZ9938GN			1	113.40
OZ9938GN		1
TDA7496		ST MICROELECTRONICS	51	363.73
TDA7496			2	438.48
TDA7496		ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7496		STMicroelectronics
TDA7496		МАЛАЙЗИЯ
TDA7496		ST1
TDA7496		1
TOP232PN		PWR	79	321.04
TOP232PN		Power Integrations
TOP232PN				197.20
TOP232PN		КИТАЙ
TOP232PN		PI