FQD19N10LTM

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQD19N10LTM (FAIRCHILD.)	1 467	3-4 недели Цена по запросу
FQD19N10LTM (ONS)	160	79.71

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики FQD19N10LTM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Dimension Change 23/Jan/2007
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	870pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD19N10LTM datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...			12.48
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	KEC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	NEC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	UTC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	HGF
OZ9938GN		O2MICRO	104	34.05
OZ9938GN			1	113.40
OZ9938GN			1	113.40
OZ9938GN		1
OZ9938GN		4-7 НЕДЕЛЬ	364
PQ3RD23		SHARP
PQ3RD23		SHARP
PQ3RD23
PQ3RD23		4-7 НЕДЕЛЬ	513
SCK08201MSY		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SCK08201MSY		THINKING
SCK08201MSY
SPA20N60C3		INFINEON
SPA20N60C3		INFINEON
SPA20N60C3		Infineon Technologies
SPA20N60C3