Версия для печати
Технические характеристики BLM31AJ601SH1L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Импеданс на частоте 100МГц	600 Ом
Допуск	±25%
Номинальный ток	200 мА
Сопротивление DC	0.9 Ом
Тип монтажа	SMD_1206
Размер корпуса	3.2x1.6x1.6
Рабочая температура	-55...125 °C
	Chip Ferrite Beads for Automotive
Норма упаковки	3000

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1360		Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOSHIBA
		2SA1360		Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)
		2SA1360		Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOS
		2SA1360		Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	ISCSEMI
		LT1964ES5-SD					552.00
		LT1964ES5-SD			LTC
		LT1964ES5-SD			AD-LTC
		UUR1H221MNL1GS			Nichicon
		UUR1H221MNL1GS			NICHICON	571
		UUR1H221MNL1GS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 431	28.97
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	532	25.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"