BLM31AJ601SH1L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BLM31AJ601SH1L (MUR)	4 511	7.76

Версия для печати

Технические характеристики BLM31AJ601SH1L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Импеданс на частоте 100МГц	600 Ом
Допуск	±25%
Номинальный ток	200 мА
Сопротивление DC	0.9 Ом
Тип монтажа	SMD_1206
Размер корпуса	3.2x1.6x1.6
Рабочая температура	-55...125 °C
	Chip Ferrite Beads for Automotive
Норма упаковки	3000

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	6 153	1.94
AD8675ARMZ	2.5nV R-R out Precision BP AMP	ANALOG DEVICES
AD8675ARMZ	2.5nV R-R out Precision BP AMP	ANALOG
AD8675ARMZ	2.5nV R-R out Precision BP AMP	Analog Devices Inc
AD8675ARMZ	2.5nV R-R out Precision BP AMP
BCP56-16,115		NXP Semiconductors
BCP56-16,115		NXP
BCP56-16,115		NEX
BCP56-16,115
IRL640PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя	VISHAY
IRL640PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя	Vishay/Siliconix
IRL640PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя	VISHAY/IR
IRL640PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
RC0805JR-070RL		YAGEO	1 413 434	0.70 >1000 шт. 0.14
RC0805JR-070RL		PHYCOMP
RC0805JR-070RL		PHYCOMP
RC0805JR-070RL		YAGEO	7 500
RC0805JR-070RL