IRG4BC40S
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 31A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Power - Max | 160W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC40S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.1UF X 630V (CL21), К73-17 0.1 МКФ Х 630В МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР (CL21) | NO TRADEMARK |
|
|
|||||
 |
IRG4BC40SPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4BC40SPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4BC40SPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRG4BC40SPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
|
|||
|
|
IRG4BC40SPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON / IR |
|
|
||
| MC33035DWG | ONS |
|
|
|||||
| MC33035DWG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33035DWG |
|
|
||||||
| MC33035DWG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33035DWG | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MC33035DWG | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| К73-17 1МКФ 630В |
|
|
||||||
| К73-17-1МКФ 630 (10%) |
|
|
