| Мощность рассеяния,Вт | 0.34 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 16 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 18 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 19 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 45 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
|
|
275.84
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 614
|
10.50
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
1 434
|
4.00
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
12.74
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 360
|
25.58
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
|
|
272.40
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС407Д |
|
стекло
|
|
6 933
|
4.25
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
11 664
|
39.38
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
55.37
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
16 737
|
44.00
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 920
|
108.24
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
