|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
51
|
57.60
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
3 925
|
14.85
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
|
|
106.64
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
HCF4068BEY |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HCF4068BEY |
|
|
|
|
164.64
|
|
|
|
HCF4068BEY |
|
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
Д814Д1 |
|
Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В
|
|
19 945
|
1.97
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
132
|
30.62
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 336
|
36.00
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|