M93C56-WMN6P
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
M93C56-WMN6P (ST MICROELECTRONICS SEMI.) |
105 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики M93C56-WMN6P
Корпус | 8-SO |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
Интерфейс подключения | Microwire, 3-Wire Serial |
Скорость | 2MHz |
Объем памяти | 2K (256 x 8 or 128 x 16) |
Тип памяти | EEPROM |
Формат памяти | EEPROMs - Serial |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
 | 622HH Осевой вентРСвЂВВВВВлятор постоянного тока серРСвЂВВВВВР С†620 РљСѓРїРСвЂВВВВВть |
 | VF20100SG Высоковольтный trench mos огранРСвЂВВВВВС‡РСвЂВВВВВтельный Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВРѕР҆шоткРцTrench MOS Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВРѕР҆ШоткРцСверхРСВВВВВВалое РїР°РТвЂВВВВВенРСвЂВВВВВР В Р’Вµ РїСЂСЏРСВВВВВВРѕРіРѕ напряженРСвЂВВВВВР РЋР РЏ, Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВалая потеря Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВощностРцВысокая эфф... РљСѓРїРСвЂВВВВВть |