Версия для печати
Технические характеристики UF4004

Корпус	DO-41
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Тип монтажа	Выводной
Capacitance @ Vr, F	17pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

FUF400x (Ультра-быстрые восстанавливающиеся выпрямители) 1 Amp. Glass Passivated Ultrafast Recovery Rectifier Также в этом файле: FUF4004 Производитель: Fagor //www.fagor.com UF4004 datasheet 37.58Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

Синонимы от поставщиков: UF4004 ; UF-4004 ; UF 4004 ; UF — 4004 ; UF4004 ; диод UF4004 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		7 384	1.42
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	10 596	2.13
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	45 205	2.67
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	18 921	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	28	2.47
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 860	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.34  >100 шт.   0.67
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	288	4.32
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI	5	2.41
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	2 363	2.27
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт		65 663	1.94  >100 шт.   0.97
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DC COMPONENTS	4 420	2.29
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	24	1.68
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DIOTEC	24 233	1.90
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 230
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	18 568
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	MCC
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	Diodes Inc
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	КИТАЙ
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	LRC
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	HOTTECH	149 211	1.74
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	KLS
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	YJ	777 166	1.46
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	SUNTAN	13 364	1.12
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	1
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		1 340	39.39
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1
		POL-12017R			PMI
		POL-12017R
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 444	36.80
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	15 440	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	640	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ	914	60.91

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"