UF4004

Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
UF4004	48 508	2.10
UF4004 (GENERAL INSTRUMENT.)	3 380	3-4 недели Цена по запросу
UF4004 (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	2 800	3-4 недели Цена по запросу
UF4004 (DIOTEC)	5 480	3.78

Ультрабыстрый кремниевый диод с временем восстановления 0,05мкс.

Версия для печати

Технические характеристики UF4004

Корпус	DO-41
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Тип монтажа	Выводной
Capacitance @ Vr, F	17pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FUF400x (Ультра-быстрые восстанавливающиеся выпрямители)

1 Amp. Glass Passivated Ultrafast Recovery Rectifier

Также в этом файле: FUF4004

Производитель:
Fagor
//www.fagor.com

UF4004 datasheet
37.58Kb
2стр.

Синонимы от поставщиков: UF4004 ; UF-4004 ; UF 4004 ; UF — 4004 ; UF4004 ; диод UF4004 ;

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A		7 024	1.42
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	10 572	1.57
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	44 670	2.77
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	18 777	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	28	2.40
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 860	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.32 >100 шт. 0.66
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	299	4.26
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI	5	2.37
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	2 739	2.24
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт		65 663	1.94 >100 шт. 0.97
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DC COMPONENTS	4 420	2.25
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	24	1.68
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DIOTEC	23 869	1.88
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 230
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	18 568
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	MCC
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	Diodes Inc
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	КИТАЙ
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	LRC
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	HOTTECH	141 187	1.67
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	KLS
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	YJ	754 526	1.44
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	SUNTAN	11 097	1.10
BC817-16	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	1
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		1 340	39.39
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
IRF9640	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1
POL-12017R		PMI
POL-12017R
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 202	36.80
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	15 188	46.20
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 160	84.72
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ	114	60.91