BC817-16

Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC817-16	65 663	1.94 >100 шт. 0.97
BC817-16 (DC COMPONENTS)	4 068	2.20
BC817-16 (NXP)	24	1.68
BC817-16 (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	1 230	3-4 недели Цена по запросу
BC817-16 (NXP.)	18 568	3-4 недели Цена по запросу
BC817-16 (DIOTEC)	23 262	1.84
BC817-16 (HOTTECH)	198 184	1.60
BC817-16 (YJ)	771 625	1.21
BC817-16 (SUNTAN)	14 254	1.08
BC817-16,215 (NEX)	34 907	2.40
BC817-16.215 (NXP)	9	1.49
BC817-16E6433 (INFINEON.)	4 501	3-4 недели Цена по запросу

Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.31
Корпуc SOT23

Версия для печати

Технические характеристики BC817-16

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	310mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт

BC817-16 datasheet
236,78kB
19стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	352 604	1.88
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	119 077	2.02
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 394	1.34 >100 шт. 0.67
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	4.91
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	978 948	1.68 >100 шт. 0.84
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.88
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	372 676	1.15
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.26
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.33
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 466	1.55
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.15
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 613 660	1.03
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	264 845	1.09
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	120 000	1.03
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	883 786	1.58 >100 шт. 0.79
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	20 544	1.24 >100 шт. 0.62
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIR
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	MCC
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DC COMPONENTS
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz		22 004	1.86 >100 шт. 0.93
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP	1 194
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS	1 354
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DIOTEC	22 069	2.60
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEC
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	LRC	784	5.17
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	HOTTECH	40 000	1.27
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KLS
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SEMTECH
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	YJ	91 838	2.07
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SUNTAN	21 602	1.10
BC807-16	Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SHIKUES	14 796	1.82
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	16 575 539	0.90 >1000 шт. 0.18
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHY
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603		3
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	2 206
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	СКЛАД
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHYCOMP
CC0805KKX7R9BB105	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	YAGEO	850 603	1.42 >100 шт. 0.71
CC0805KKX7R9BB105	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC0805KKX7R9BB105	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805KKX7R9BB105	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
CC0805KKX7R9BB105	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	YAGEO	50 086
JRB1V221M03500800120000B		JB	82 632	4.33
JRB1V221M03500800120000B

AT24868A
Р вЂњРЎР‚Р В°РЎвЂћР С‘РЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”Р С‘Р в„– Р В¶Р С” Р СР С•Р Т‘РЎС“Р В»РЎРЉ tab-РЎвЂљР С‘Р С—Р В° 248РЎвЂ¦68 РЎвЂљР С•РЎвЂЎР ВµР С”
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

IXFP14N60P
Polarhv hiperfet power mosfet
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

LP62E16512-I
Р СњР С‘Р В·Р С”Р С•Р С—Р С•РЎвЂљРЎР‚Р ВµР В±Р В»РЎРЏРЎР‹РЎвЂ°Р ВµР Вµ РЎРѓРЎвЂљР В°РЎвЂљР С‘РЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”Р С•Р Вµ Р С•Р В·РЎС“ 512Р С”РЎвЂ¦16
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

BC817-16

Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: