Версия для печати
Технические характеристики LM6132AIM

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	1.8 V ~ 24 V, ±0.9 V ~ 12 V
Ток выходной / канал	4mA
Ток выходной	390µA
Напряжение входного смещения	1700µV
Ток - входного смещения	125nA
Полоса пропускания	11MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	14 V/µs
Тип выхода	Rail-to-Rail
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM6132 (Операционные усилители малой мощности) Low Power 10 MHz Rail-to-Rail I / O Operational Amplifiers Также в этом файле: LM6132AIM, LM6132AIMX Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM6132AIM datasheet 364.58Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS	30 817	3.92
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	5 353	1.96
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ONS	116	8.28
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR	1 428
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	LRC
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый		1	75.60
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	П/П 2
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СТАРТ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СЗТП	84	209.43
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	RUS
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	РОССИЯ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		Э8030 0-250 В ~2.5

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"