CSD16322Q5
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 8V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | NexFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 97A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1365pF @ 12.5V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SON |
| Корпус | 8-SON |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
