| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 792
|
40.76
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
|
1 320
|
40.06
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 941
|
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM8L152C6T6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STM8L152C6T6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM8L152C6T6 |
|
|
|
376
|
235.06
|
|
|
|
|
STM8L152C6T6 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STM8L152C6T6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STM8S-DISCOVERY |
|
Отладочный набор компании STMicroelectronics на базе STM8S105
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STM8S-DISCOVERY |
|
Отладочный набор компании STMicroelectronics на базе STM8S105
|
|
|
2 080.00
|
|
|
|
|
STM8S-DISCOVERY |
|
Отладочный набор компании STMicroelectronics на базе STM8S105
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM8S-DISCOVERY |
|
Отладочный набор компании STMicroelectronics на базе STM8S105
|
ФРАНЦИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
842
|
10.15
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
808
|
13.26
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
7 312
|
12.40
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
227
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
