LM2931CDR2 SO-8
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | 56 | 165.60 | ||
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NSC |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | 1 |
|
|
|
| LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
| LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
| КТ 645 А | RUS |
|
|
|||||
| КТ 646 А | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 49 | 19.20 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 283 | 48.45 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 51 | 46.25 |
