SI1900DL-T1-E3
|
MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1900DL-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 590mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Power - Max | 270mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
