BA15218N SIP8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами	HSUAN MAO
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами			7.60
DIP28-W	Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.			10.00
DIP28-W	Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.	HSUAN MAO
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		620	70.00
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	240	137.76
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 350	79.60
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
ПАНЕЛЬ DIP20 SCS-20