Версия для печати
Технические характеристики 293D226X9016C2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	22µF
Номинальное напряжение	16V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.400 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	2312 (6032 Metric)
Size / Dimension	0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
Высота	0.110" (2.79mm)
Manufacturer Size Code	C
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D226X9016C2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		43CTQ100PBF		Диод выпрямительныйный двойной Шоттки 100В
		43CTQ100PBF		Диод выпрямительныйный двойной Шоттки 100В	VISHAY
		43CTQ100PBF		Диод выпрямительныйный двойной Шоттки 100В	Vishay/Semiconductors
		43CTQ100PBF		Диод выпрямительныйный двойной Шоттки 100В	VISHAY/IR
		43CTQ100PBF		Диод выпрямительныйный двойной Шоттки 100В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 821
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMI
		MUR120 AP			MCC
		SK100M0470B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В	YAGEO
		SK100M0470B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEMET
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В			7.56
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEMET	2 460
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	МЕКСИКА
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEM

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"