Версия для печати
Технические характеристики 293D226X9016C2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	22µF
Номинальное напряжение	16V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.400 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	2312 (6032 Metric)
Size / Dimension	0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
Высота	0.110" (2.79mm)
Manufacturer Size Code	C
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D226X9016C2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D475X9016A2TE3			Vishay/Sprague
		293D475X9016A2TE3			VISHAY	28 886	9.99
		293D475X9016A2TE3
		293D475X9016A2TE3			VISHAY
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160			18.48
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS	2 220	25.35
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	МИНСК
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ПУЭРТО РИКО
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ИНДИЯ
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRO
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	800	35.70
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		6 722	9.52
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	1 521	10.53
		IRFI4019H-117P		Hexfet power mosfets dual n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFI4019H-117P		Hexfet power mosfets dual n-channel
		IRFI4019H-117P		Hexfet power mosfets dual n-channel	INFINEON
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX	736	25.58
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	AVX Corporation
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С		80
		TAJB226K016RNJ		Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 22мкФ, 16В, 10%, 125С	KYOCERA-AVX

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"