Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		470МКФ 400 (35X35)105°C
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...			937.60
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Diodes Inc
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Fairchild Semiconductor
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FSC
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS-FAIR
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIR
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	INTERSIL
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FSC
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)			500.00
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	Fairchild Semiconductor
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIRCHILD
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS-FAIR
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS
		HGTG20N60A4		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ON SEMICONDUCTOR
		RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10				832	10.51
		RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10			RUICHI
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS	28	270.00
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс		2 384	329.12
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMicroelectronics
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST1
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRO
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMICROELECTR
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"