ПЭВ-10 47 +10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
470МКФ 400 (35X35)105°C
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIR
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...			937.60
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Diodes Inc
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Fairchild Semiconductor
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FSC
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS
GBPC3508	Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS-FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	INTERSIL
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FSC
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)			500.00
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	Fairchild Semiconductor
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIRCHILD
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS-FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ON SEMICONDUCTOR
RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10
RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10		RUICHI	164	18.22
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 17 Г.
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 17 Г.		ПИМ