Si6562CDQ-T1-GE3
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.7A, 6.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Power - Max | 1.6W, 1.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
