IRFD110PBF
Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3296W 100K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт | 2 080 | 15.58 | ||
|
|
|
3296W 100K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт | RUICHI | 492 | 22.15 | |
 |
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 1 240 | 11.58 | ||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
|
|
|||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
|
10.80 | ||||
| SY025M0220A5F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| К10-17Б-0.15 Н50 |
|
Керамический конденсатор 0.15 мкФ 50 В |
|
57.40 |
