![]() |
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
FET Feature | Depletion Mode |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | SIPMOS® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.7nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 108pF @ 25V |
Power - Max | 1.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | PG-SOT223-4 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.1МКФ 63 (4X7) |
![]() |
![]() |
||||||
470МКФ 50 (10X21)105°C |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
BSP149L6327 |
![]() |
N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BSP149L6327 |
![]() |
N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт |
![]() |
140.00 | ||
![]() |
![]() |
BSP149L6327 |
![]() |
N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт | INFINEON | 52 |
![]() |
|
КП307Б1 | 804 | 22.68 | ||||||
КП307Б1 | АЛЕКСАНДРОВ |
![]() |
![]() |
|||||
КП707Г1 |
![]() |
![]() |
||||||
КП707Г1 |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|