|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
5 945
|
5.89
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
|
|
8.80
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
3 200
|
5.72
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
HOTTECH
|
1 591
|
8.30
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
JSCJ
|
508
|
9.23
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
SHIKUES
|
4 220
|
6.34
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
37.80
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
|
5
|
41.58
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
397
|
37.80
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
911
|
22.68
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 479
|
16.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 516
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 579
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 076
|
16.80
|
|