ADE-5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ADE-5 (MINI CIRCUITS)	64	252.00
ADE-5 (4-7 НЕДЕЛЬ)	582	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HSMS-2802		AVAGO
HSMS-2802				81.64
HSMS-2802		КИТАЙ
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	37.80
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
MC14066BD	(G) (SMD) SO14		5	41.58
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ONS
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	1
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MICRO CHIP	4 208	132.50
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz		136	125.80
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	Microchip Technology
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MCHIP
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	ТАИЛАНД
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	249
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 159	32.02
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	911	22.68
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	800	39.90
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 479	16.80
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		1 476	37.80
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	37.80
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	4 032	16.80