IRF6613TR1PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF6613TR1PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	8	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF6613TR1PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 23A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5950pF @ 15V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MT
Корпус	DIRECTFET™ MT

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.