Версия для печати
Технические характеристики TL431ACLPR

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Ток выходной	100mA
Ток катод	600µA
Количество каналов	1
Допустимые отклонения емкости	±1%
Напряжение выходное	2.495 V ~ 36 V
Reference Type	Shunt, Adjustable, Precision
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±1%

TL431A ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS Также в этом файле: TL431ACLPR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TL431ACLPR datasheet 571.21Kb 32стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	6 048	6.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 482	3.51
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		18 800	1.36
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	3 118	2.11
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.42
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		3296W-100К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт	CHINA
		3296W-100К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт			32.00
		3296W-100К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт	CHINA NATIONAL
		3296W-500К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-500К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-500К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			23.44
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)		12 970	3.18
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIR
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	VISHAY
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FSC
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	KINGTRON
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	ONS	9	5.04
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	ONS-FAIR
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	1
		BZX85C12		Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	SUNMATE	9 104	4.61
		TIP122G			ON Semiconductor
		TIP122G			ONS
		TIP122G			ON SEMICONDUCTOR	205
		TIP122G
		TIP122G			ON SEMICONDUCTO
		TIP122G			ONSEMI	8	93.25

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"