| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
КВС111А |
|
|
|
1 897
|
5.28
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ДНЕПР
|
6 836
|
2.00
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ТОМСК
|
25 185
|
4.00
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ХЕРСОН
|
2 638
|
2.00
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
НИИПП
|
800
|
15.30
|
|
|
|
 |
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
|
129.60
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
4
|
224.40
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
|
613
|
4.72
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
КРЕМНИЙ
|
1 600
|
12.24
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 964
|
4.00
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
МИНСК
|
1
|
4.00
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ЭЛЕКС
|
800
|
11.73
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
|
1 828
|
3.50
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
13 187
|
4.00
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВЗПП
|
1 705
|
22.95
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
351
|
77.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
91.80
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 938
|
92.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|
Версия для печати
