Версия для печати
Технические характеристики M24C32-WMN6

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Скорость	400kHz
Объем памяти	32K (4K x 8)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

M24C32 (EEPROM (Последовательные)) 64Kbit and 32Kbit Serial IР†C Bus EEPROM Также в этом файле: M24C32-WMN6, M24C32-WMN6P, M24C32-WMN6T, M24C32-WMN6TP Производитель: STMicroelectronics //www.st.com M24C32-WMN6 datasheet 394.68Kb 26стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA033T			ROHM
		BA033T					120.00
		BA033T			ROHM	3 472
		BA033T			Rohm Semiconductor
		BA033T			1
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А			118.08
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NSC	4	193.80
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NATIONAL SEMICONDUCTOR	48
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	TEXAS
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		1	180.00
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL	7	17.91
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	1
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS	2 740	12.00
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...			41.24
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 966
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMicroelectronics
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRO
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMICROELECTR
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS	1 528	18.92
		M93C86-WMN6TP					50.80
		M93C86-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M93C86-WMN6TP			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"