FQD10N20LTM


Купить FQD10N20LTM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD10N20LTM
Версия для печати

Технические характеристики FQD10N20LTM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs360 mOhm @ 3.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход