К1169ЕУ1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRG4PH40U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	800.70
IRG4PH40U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC			357.88
IRG4PH40U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC	КИТАЙ
IRG4PH40U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC	INFINEON
К1169ЕУ2		КАЛУГА
К1169ЕУ2
К1169ЕУ2
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		101	16.45
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	266	25.50
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ342АМ		ДАЛЕКС
КТ342АМ			2	1.75
КТ342АМ		АЛЕКСАНДРОВ
КТ342АМ		НАЛЬЧИК
КТ342АМ		ЭЛЕКС
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...		266	70.40
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...	КВАЗАР