Версия для печати
Технические характеристики IRFB20N50KPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2870pF @ 25V
Power - Max	280W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFB20N50KPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFB20N50KPBF datasheet 192.9 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		15 824	1.44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS	5	5.94
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	13 352	2.14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	55 568	2.81
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	22 678	3.99
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	4 020	3.00
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	12.75
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	105	1.44  >100 шт.   0.72
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	214	4.67
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD	696	3.00
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	443	3.00
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI	108	2.60
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	77	3.00
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		FGH60N60SMD			Fairchild Semiconductor
		FGH60N60SMD			FSC
		FGH60N60SMD				132	509.76
		FGH60N60SMD			FAIR
		FGH60N60SMD			FAIRCHILD
		FGH60N60SMD			ONS
		FGH60N60SMD			ONS-FAIR
		FGH60N60SMD			ON SEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			ONSEMI	2	504.75
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		27 988	1.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	8 998	2.16
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	9 360	2.75
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	120	2.95
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	2	62.98
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		1 240	23.77
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	1 428	69.48
		IRS2092S			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRS2092S					988.00
		IRS2092S			INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"