NAND512W3A2DN6E
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Корпус | 48-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | BOURNS | 1 833 | 48.79 | ||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм |
|
|
|||
 |
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS | 1 132 | 42.69 | ||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм |
|
168.00 | |||
 |
CM453232-471KL |
|
ЧИП-индуктивность 470мкГн 1812 | BOURNS | 2 763 | 19.02 | ||
|
|
CM453232-471KL |
|
ЧИП-индуктивность 470мкГн 1812 |
|
40.00 | |||
 |
 |
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | BOURNS | 28 502 | 19.38 | |
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm |
|
112.00 | ||
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | ВОURNS |
|
|
|
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
