EFUSE LP16-1000F

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EZV-B35-22МКФM5Х5.5		HITANO
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	LESHAN RADIO COMPANY
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	MOTOROLA
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23		204	4.80
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	MOTOROLA
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	2 144
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	КИТАЙ
MMBT5401LT1	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTOR	140	1.60
MMBT5551LT1G		ONS
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTOR	5 108
MMBT5551LT1G			320	1.05
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTO
MMBT5551LT1G		ONSEMICONDUCTOR
MMBT5551LT1G		SEMTECH
RC1206JR-073R6L		YAGEO	1 496	1.41 >500 шт. 0.47
RC1206JR-073R6L
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY	4 310	23.05
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс		4 064	20.40
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	Vishay/Semiconductors
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	KLS