|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
|
|
2.08
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
80
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONS
|
488
|
29.52
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DC COMPONENTS
|
7 524
|
4.11
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
OTHER
|
582
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
567
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
|
14 000
|
2.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
291 314
|
2.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
64 644
|
2.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
537 596
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
397 593
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.73
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.92
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 241 990
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
419 155
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 255 256
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
36 704
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
196
|
123.20
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
|
4
|
144.00
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|