|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY
|
3 556
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
|
1 560
|
7.57
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SURFACE MOUNT SMA
|
|
|
|
|
|
2SK2056 |
|
Транзистор полевой
|
TOSHIBA
|
40
|
357.00
|
|
|
|
2SK2056 |
|
Транзистор полевой
|
|
1
|
151.20
|
|
|
|
2SK2056 |
|
Транзистор полевой
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2056 |
|
Транзистор полевой
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
440.00
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
38.25
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
815
|
33.15
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
10 740
|
3.90
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
|
|
24.00
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONS
|
1
|
5.90
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
130
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|