|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK1460 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 3,5A, 40W
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SK1460 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 3,5A, 40W
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SK1460 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 3,5A, 40W
|
|
1
|
294.84
|
|
|
|
2SK1460 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 3,5A, 40W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
|
|
283.20
|
|
|
|
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF |
|
Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF |
|
Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF |
|
Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
|
INFINEON
|
163
|
2 347.52
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF |
|
Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
46.81
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
114
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
39 760
|
11.76
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
4 080
|
8.44
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
|
|
|
|