Версия для печати
Технические характеристики YC164-JR-07220RL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	YC164
Circuit Type	Isolated
Сопротивление (Ом)	220
Number of Resistors	4
Number of Pins	8
Power Per Element	62.5mW
Допустимые отклонения емкости	±5%
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric), Convex
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.024" (0.60mm)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C
Корпус	4 x 0603
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	NXP	2 659	6.00
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	FAIR
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	PHILIPS
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	DC COMPONENTS
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250		16	9.60
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	FAIRCHILD
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	FAIRCHILD	1 391
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	NXP
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	PHILIPS
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	0.00
		BC337-16		Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250	NEX-NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 689	18.01
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 452	11.78
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	FAI/QTC
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	UTC
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160			27.80
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	МИНСК
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	NXP
		BD140-10		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	NXP/NEXPERIA
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	84.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...			53.40
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		KD2-22BBR (PSW-22 БФЧЧ)
		KD2-22BBR (PSW-22 БФЧЧ)
		KD2-22BBR (PSW-22 БФЧЧ)			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"