Версия для печати
Технические характеристики STP40NF10L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	64nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2300pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP40NF10L (MOSFET) N-channel 100V - 0.028? - 40A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP40NF10L datasheet 235.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт			62.80
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	Fairchild Semiconductor
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FSC
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS	631	29.33
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS-FAIR
		КТ6116Б
		КТ6116Б			МИНСК
		КТ6116Б
		КТ6116Б			ИНТЕГРАЛ	800	12.89
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		272	49.14
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	932	34.91
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 080	33.60
		КТ972Г				125	33.49
		КТ972Г			МИНСК
		КТ972Г			ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 891	30.36
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	4 170	37.80
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"