IRFIB7N50APBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFIB7N50APBF (VISHAY)	568	113.03

Версия для печати

Технические характеристики IRFIB7N50APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1423pF @ 25V
Power - Max	60W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIB7N50APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFIB7N50APBF datasheet
202.3 Кб