BSH121

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH121 (PHILIPS.)	13 332	3-4 недели Цена по запросу
BSH121 (NXP.)	1 222	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH121

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 75mA, 2.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	40pF @ 10V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH121 (MOSFET)

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Производитель:
NXP

BSH121 datasheet
297.4 Кб