STW55NM60ND


N-channel 600 v - 0.047 ? - 51 a to-247 fdmesh™ ii power mosfet (with fast diode)

Купить STW55NM60ND ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STW55NM60ND
Версия для печати

Технические характеристики STW55NM60ND

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияFDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 25.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C51A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs190nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5800pF @ 50V
Power - Max350W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW55NM60ND (MOSFET)

N-channel 600 V - 0.047 ? - 51 A TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode)

Производитель:
STMicroelectronics

STW55NM60ND datasheet
297.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход