BCV26

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BCV26	38	3-4 недели Цена по запросу
BCV26 (FSC)	3 196	3.16
BCV26 (HOTTECH)	1 912	5.36
BCV26 (SUNTAN)	4 080	5.72

Версия для печати

Технические характеристики BCV26

Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	220MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCV26

Pnp Silicon Planar Darlington Transistors

Производитель:
Zetex Semiconductors
//www.zetex.com

BCV26 datasheet
53.31Kb
1стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DB103	Диодные мосты 1A 200V	DIODES
DB103	Диодные мосты 1A 200V	DC COMPONENTS	11 803	12.44
DB103	Диодные мосты 1A 200V			34.00
DB103	Диодные мосты 1A 200V	DIODES INC.
DB103	Диодные мосты 1A 200V	Diodes Inc
DB103	Диодные мосты 1A 200V	Micro Commercial Co
DB103	Диодные мосты 1A 200V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
DB103	Диодные мосты 1A 200V	КИТАЙ
LM3102MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM3102MH		NSC
LM3102MH				509.88
LM3102MH		КИТАЙ
LM3102MH		TEXAS INSTRUMENTS
LMZ14203	Модуль питания simple switcher® с максимальным входным напряжением 42в и током нагрузки 3а	NATIONAL SEMICONDUCTOR
TRS-8	DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно			46.40
TRS-8	DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	NXU
TRS-8	DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	RUICHI	4	52.48
TRS-8	DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	XINLAIYA	242	85.57
КТ361В ЖЕЛТ.		НАЛЬЧИК
КТ361В ЖЕЛТ.