|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
8 089
|
1.04
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
1 097 887
|
1.15
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
339
|
5.25
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
735 055
|
1.21
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
|
|
6.00
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TSC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
REC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YJ
|
31 409
|
2.54
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
SUNTAN
|
2 400
|
2.22
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ASEMI
|
72
|
1.72
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
96.90
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
1 848
|
26.59
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
400
|
15.30
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
|
6 720
|
2.69
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
SEMTECH
|
2 448
|
2.23
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
CHINA
|
8 000
|
2.27
|
|