L6388ED013TR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 17V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Время задержки | 225ns |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB8NC60KDT4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STGB8NC60KDT4 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STGB8NC60KDT4 |
|
|
||||||
 |
 |
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
|
