PSMN015-110P
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 110V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN015-110P (MOSFET) N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET
Производитель:
|
