|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
3 720
|
7.20
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
1 878
|
2.58
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
116
|
1.78
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
1 680
|
1.97
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
11 191
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
2.08
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
48
|
1.14
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
3 665
|
1.49
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
26 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
16 000
|
1.24
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
26 600
|
1.41
|
|
|
|
LL4148 150MA 75V |
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
40
|
117.30
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
31 860
|
23.62
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
1 120
|
19.70
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
194
|
54.61
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
31 281
|
30.10
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
34 520
|
25.60
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
MUR
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
MURATA
|
|
|
|