PSMN165-200K
N-канальный полевой транзистор
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1330pF @ 25V |
| Power - Max | 3.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN165-200K (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor
Производитель:
|
