SI2319CDS-T1-GE3


Купить SI2319CDS-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V SOT-23 MOSFET P-CH 40V SOT-23
Версия для печати

Технические характеристики SI2319CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs77 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.4A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds595pF @ 20V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  LP2952IM     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LP2952IM     NSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LP2952IM       Заказ радиодеталей 205.68 
  LP2952IM     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LP2952IM     ФИНЛЯНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MAX1811ESA     MAXIM Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MAX1811ESA     MAX Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MAX1811ESA       Заказ радиодеталей 745.28 
  MAX1811ESA     Maxim Integrated Products Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход