Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Бит | 12 |
Частота амплитудно-импульсной модуляции | 100k |
Интерфейс подключения | 8051, QSPI™, Serial, SPI™ µP |
Число преобразователей | 2 |
Мощность рассеивания (макс.) | 33mW |
Напряжение питания источника | Analog and Digital |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Корпус | 24-SOIC W |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
521СА301 |
|
|
АЛЬФА РИГА
|
12
|
673.40
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
|
|
300.00
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
МСХ1
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
САРАНСК
|
1
|
600.00
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
РД-АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
МИКРО-М
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
RD-АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
521СА301 |
|
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
11 264
|
3.85
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
9.10
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|