IRLL2705PBF
Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
 | APPA 93N Базовая погрешность 0,5 %; Измерение напряжения пост. 0,1 мВ … 600 В; Измерение напряжения пер. 1 мВ … 600 В (40 - 500 Гц); Измерение тока пост. 0,1 ... Купить |
 | КС539Г пластмасса 30.24 руб Купить |
 | MBRF30H45CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки. улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода Защита от перенапряжения Мал... Купить |
