Si7288DP-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
Si7288DP-T1-GE3 (VISHAY) |
769 |
96.78
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики Si7288DP-T1-GE3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 565pF @ 20V |
| Power - Max | 15.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
