ГТ309Б
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГТ309В | 6 | 14.40 | ||||||
| ГТ309В | МИНСК |
|
|
|||||
| ГТ309В | 6 | 14.40 | ||||||
| Д311 | 188 | 5.28 | ||||||
| Д311 | МИНСК | 11 179 | 6.00 | |||||
| Д311 | RUS |
|
|
|||||
| Д311 | ИНТЕГРАЛ | 312 | 35.42 | |||||
 |
 |
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс | 1 099 | 1.05 | ||
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс | ХЕРСОН |
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс | ДНЕПР | 800 | 2.14 | |
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс | RUS |
|
|
|
 |
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. |
|
57.60 | ||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 15 836 | 24.00 | |
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 158.10 | |
 |
|
КТ 315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В |
|
|
