|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
|
7 595
|
35.80
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЗПП
|
96
|
42.36
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЭВЗ
|
80
|
56.83
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
СЗТП
|
44
|
71.82
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
7200
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
|
|
3.16
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
886
|
36.80
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
415
|
210.00
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
|
|
26.40
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
КРЕМНИЙ
|
404
|
95.05
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
БРЯНСК
|
1 884
|
31.50
|
|
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824)
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
776
|
30.18
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
6 338
|
33.90
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
10 281
|
37.80
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|